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天天最新:ASML透露0.75 NA EUV光刻设备或​将在2035年到来!


【资料图】

摘要:据日本媒体mynavi报道称,ASML 首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 近日在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表了题为“Extending Lithography into the 2030s to Support the World-Changing Semiconductor Industry”的演讲。他在演讲中强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术。

据日本媒体mynavi报道称,ASML首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 近日在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表了题为“Extending Lithography into the 2030s to Support the World-Changing Semiconductor Industry”的演讲。他在演讲中强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术。

Christophe Fouquet表示,自 2010 年代以来(包括未来预测)需要通过曝光和 EPE(Edge Placement Error:衡量光刻胶图像的边缘与所需位置的距离,来解决的金属布线间距的变化) ,并表明金属间距在 2020 年代之前的六年中一直以 50% 的速度收缩,但这种速度可能会在 2030 年代放缓并达到饱和(如下图)。到目前为止,节点名称(晶圆厂用来宣传制程工艺节点的数字,下图底部绿色显示的数字)和最小金属布线的线宽是一致的,但近年来已经出现了较大的分歧。

首款High NA EUV光刻系统将在2023年底前出货

ASML 计划在 2023 年底前出货首个商用High NA(NA=0.55)EUV 曝光系统(用于原型制作),并于 2025 年开始出货量产设备。因此,从 2025 年左右开始,客户将能够从使用 NA=0.33 的传统 EUV 光刻工具的多重图案化切换到使用0.55 NA EUV 光刻工具的单一图案化,从而降低工艺成本并提高产量。

High-NA机器的光源是在美国加州圣地亚哥开发的,分划板是在美国康涅狄格州威尔顿开发的,光学系统是在德国奥伯科亨开发的,据说有 预计入驻总公司“imec-ASML High NA Lab”的五大客户(Intel、TSMC、Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology),将可早日接触到High NA机器。Lam Research、KLA、HMI 和 JSR,以及提供镀膜机/显影剂(清洁轨道)的 Tokyo Electron 正在合作操作该实验室的高 NA EUV 曝光设备。

600W的EUV光源输出功率在研,800W在望

Fouquet表示,EUV 曝光用光源的输出功率一直在稳步增加,ASML传统型号的EUV光刻机的光源输出功率为 250 至 300W,最新型号 3600D 增加到 350W。在研究层面,已经做到了600W,未来800W指日可待。

在2030年代,使用High NA EUV设备的多重图案将与单一图案一起完成,以提高产量,并降低工艺成本,将需要更高的NA EUV曝光(NA=0.75)。Fouquet指出通过 DUV(干法)、ArF(浸没法)、EUV 和High NA EUV 曝光技术形成图案的每个晶体管的成本将发生变化。考虑到High-NA EUV的价格高于EUV曝光设备,每台已经价值可能达到3亿美元,超高NA EUV的开发取决于客户的要求和开发成本。

编译:芯智讯-浪客剑

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